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DI2579N

Name: Diotec Semiconductor DI2579N
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2579N
Price: 284.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI2579N

Fabricante N.º:

DI2579N

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN

Hoja de datos:

DI2579N Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡284,20	₡284,20
	₡222,14	₡2 221,40
	₡133,40	₡13 340,00
	₡131,66	₡65 830,00
	₡127,60	₡127 600,00
	₡113,10	₡226 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	₡105,56	₡422 240,00
	₡75,40	₡603 200,00
	₡73,66	₡1 767 840,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-223
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	1 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	700 V
Voltaje VEBO emisor-base:	9 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1 V
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	0 Hz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Máx. ganancia de CC hFE:	20
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Nombre comercial:	DI2579N
Peso de la unidad:	200 mg

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Hoja de datos

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Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Transistores NPN SMD de alto voltaje DI2579N

Los transistores NPN SMD de alto voltaje DI2579N de Diotec Semiconductor ofrecen un alto voltaje del colector-emisor junto con un bajo voltaje de saturación. Los dispositivos cuentan con un voltaje del colector-emisor de 700 V, corriente del colector de 1 A y disipación de potencia de 1.25 W. Los transistores NPN SMD de alto voltaje DI2579N de Diotec Semiconductor son ideales para aplicaciones de procesamiento de señal, conmutación, amplificación y de grado comercial.