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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 771 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQSA12CENW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQSA12CENW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQSA12CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡771	₡771
	₡481	₡4 810
	₡319	₡31 900
	₡250	₡125 000
	₡226	₡226 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡198	₡594 000
	₡183	₡1 098 000
	₡179	₡1 611 000
	₡172	₡4 128 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8W
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	31 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	47 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

SQSA12CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET^® power MOSFET. The SQSA12CENW MOSFET features an 18A I_D, 100V V_DS, and 0.022Ω R_DS(on). The Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is available in a single PowerPAK^® 1212-8W package and is specified to a -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range.