Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A
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2 952En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TSMT-5 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 2.8 nC - 40 C + 125 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.5A
Hoja de datos
4 770En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-353T-5 N-Channel, SBD 1 Channel 30 V 1.5 A 240 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching
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3 710En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A - 10 V, 10 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6
Hoja de datos
4 501En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1A
Hoja de datos
3 052En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-353T-5 P-Channel 1 Channel 20 V 1 A 390 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single
Hoja de datos
2 805En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 2A
Hoja de datos
3 913En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 125 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5
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3 020En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-25T-2 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5
Hoja de datos
513En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A
Hoja de datos
3 119En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A
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2 027En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 200 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching
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2 980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 N-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 180 mOhms - 10 V, 10 V 1.3 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 200 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-25T-5 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 200 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-353T-5 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-353T-5 P-Channel 1 Channel 45 V 700 mA 800 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel