Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U12TR
ROHM Semiconductor
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2 784En existencias

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QS5U12TR

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755-QS5U12TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

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₡619,35

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SMD/SMT

SOT-25T-2

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U16TR
ROHM Semiconductor
1: ₡572,51
2 942En existencias

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755-QS5U16TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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TSMT-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

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2.8 nC

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1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A TSMT5

QS5U13TR
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor

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Envase tipo carrete

₡123,87

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SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

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1.25 W

Enhancement

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US5U1TR
ROHM Semiconductor
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Envase tipo carrete

₡123,35

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N-Channel, SBD

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1.5 A

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1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

QS5U36TR
ROHM Semiconductor
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3 710En existencias

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QS5U36TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V2.5A Load Switching

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₡198,82

₡152,50

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₡109,82

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SMD/SMT

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1 Channel

20 V

2.5 A

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1.3 V

3.5 nC

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1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 1A TSMT6

QS6U24TR
ROHM Semiconductor
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QS6U24TR

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₡123,87

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P-Channel

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30 V

1 A

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2.5 V

1.7 nC

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1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1A

US5U30TR
ROHM Semiconductor
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3 052En existencias

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US5U30TR

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ROHM Semiconductor

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₡582,92

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₡238,37

₡184,24

₡166,55

Envase tipo carrete

₡128,03

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SMD/SMT

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P-Channel

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20 V

1 A

390 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

2.1 nC

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+ 150 C

1 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 2A

QS5U28TR
ROHM Semiconductor
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₡157,70

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SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

125 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V; 2A; P-Channel Single

QS5U33TR
ROHM Semiconductor
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QS5U33TR

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SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

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2.5 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U27TR
ROHM Semiconductor
1: ₡619,35
1 998En existencias

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QS5U27TR

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755-QS5U27TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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₡389,31

₡255,55

₡197,78

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₡155,10

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Mult.: 1

: 3 000

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SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

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1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

QS5U34TR
ROHM Semiconductor
1: ₡452,80
2 980En existencias

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QS5U34TR

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755-QS5U34TR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chan20V1.5A Load Switching

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₡452,80

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SMD/SMT

SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

180 mOhms

- 10 V, 10 V

1.3 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

QS5U17TR
ROHM Semiconductor
1: ₡593,33
5 909Se espera el 13/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
QS5U17TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U17TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 2A

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5 909Se espera el 13/7/2026

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₡593,33

₡370,57

₡242,54

₡187,37

Envase tipo carrete

₡146,77

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-25T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

2 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U21TR
ROHM Semiconductor
3 000: ₡148,85
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U21TR

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755-QS5U21TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Envase tipo carrete

₡148,85

₡148,33

₡145,21

₡138,96

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

QS5U26TR
ROHM Semiconductor
1: ₡582,92
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QS5U26TR

N.º de artículo de Mouser
755-QS5U26TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 20V 1.5A

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Cinta cortada

₡582,92

₡360,68

₡237,33

₡186,33

₡163,95

Envase tipo carrete

₡120,23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-25T-5

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

US5U2TR
ROHM Semiconductor
1: ₡598,54
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U2TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U2TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 1.4A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

₡598,54

₡369,53

₡243,06

₡191,01

Envase tipo carrete

₡132,20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-353T-5

N-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

US5U35TR
ROHM Semiconductor
3 000: ₡151,98
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
US5U35TR

N.º de artículo de Mouser
755-US5U35TR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive

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Envase tipo carrete

₡151,98

₡149,89

₡145,73

₡142,09

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-353T-5

P-Channel

1 Channel

45 V

700 mA

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel

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