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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT-MODULE
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Single 600 V 1.45 V 300 A 400 nA 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
Hoja de datos
13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200V 300A CHOPPER
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 480 A 400 nA 1.47 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 300 A chopper IGBT module
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.7 kV 1.95 V 300 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A chopper IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray