STO33N60M6

STMicroelectronics
511-STO33N60M6
STO33N60M6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
33.4 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 33 ns
Serie: MDmesh M6
Cantidad de empaque de fábrica: 1800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 38.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 19.5 ns
Peso de la unidad: 76 mg
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Atributos seleccionados: 0

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PCN

Technical Resources

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Qg) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.

STO65N60DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series combining very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr), and excellent improvement in RDS(on). The STO65N60DM6 offers excellent switching performance via the extra driving source pin. This performance makes the STM STO65N60DM6 Power MOSFET ideal for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

STO67N60x MDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested N-channel power MOSFETs suited for switching applications. These power MOSFETs feature excellent switching performance, low gate input resistance, and lower RDS(on) per area compared to the previous generation. The STO67N60DM6 power MOSFET is a fast-recovery body diode and combines a very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) with the most effective switching behavior. The STMicroelectronics STO67N60M6 power MOSFET is ideal for LLC converters and boost PFC converters.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1800   Múltiples: 1800
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)
₡1 171,05 ₡2 107 890,00

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