Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
Hoja de datos
2 965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
Hoja de datos
3 000Se espera el 10/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape