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NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 112587.08 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-600B100H4Q2F2S1G

Fabricante N.º:

NXH600B100H4Q2F2S1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos IGBT FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Hoja de datos:

NXH600B100H4Q2F2S1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	Si/SiC Hybrid Modules
Configuración:	Triple
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.88 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	173 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	350 nA
Dp - Disipación de potencia :	422 W
Paquete / Cubierta:	PIM-56
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Tipo de producto:	IGBT Modules
Serie:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Cantidad de empaque de fábrica:	36
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	SiC, Si
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

NXH600B100H4Q2F2S1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República Checa

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.