SGT3D5R10MEB
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Fabricante:
Descripción:
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
- USHTS:
- 8541600060
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- No disponible
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
En pedido:
-
500Se espera el 18/8/2026
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
24Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ | ||
| ₡1 936,13 | ₡1 936,13 | |
| ₡1 264,73 | ₡12 647,30 | |
| ₡921,22 | ₡92 122,00 | |
| ₡770,29 | ₡385 145,00 | |
| ₡713,04 | ₡713 040,00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| ₡666,20 | ₡1 998 600,00 | |
| ₡603,74 | ₡3 622 440,00 | |
Costa Rica
