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PSMN029-100HLX

Name: Nexperia PSMN029-100HLX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN029-100HLX
Price: 1496.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN029-100HLX

Fabricante N.º:

PSMN029-100HLX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D

Hoja de datos:

PSMN029-100HLX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 496,40	₡1 496,40
	₡957,00	₡9 570,00
	₡667,00	₡66 700,00
	₡561,44	₡280 720,00
	₡388,02	₡388 020,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡388,02	₡582 030,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	29.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934665469115

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Hoja de datos

PSMN029-100HLX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN029 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN029 N-Channel MOSFET is a dual logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The Nexperia MOSFET uses TrenchMOS technology. The device features a high peak drain current IDM and a copper clip with flexible leads.