PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 62
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-30YLC/SOT669/LFPAK 1 290En existencias
4 500Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 16.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK 1 622En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 25A 2 533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 25 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 21.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK 5 839En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 90 V 12 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 1 155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 110.2 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 346En existencias
1 500Se espera el 25/5/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 1.02 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 80.9 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 280A 222En existencias
3 000En pedido
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 127 nC - 55 C + 150 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-25YLC/SOT669/LFPAK 2 101En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.43 V 83 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 2 580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 32 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK 250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.45 V 66 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product. 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 80 V 335 A 1.2 mOhms 20 V 3 V 164 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.44 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 27.6 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A 405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 N-CH 30V 120A 18En existencias
7 200Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 228 nC - 55 C + 175 C 401 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK 374En existencias
1 500Se espera el 20/5/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 1.51 V 65 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK 1 141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 77.9 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A 2 323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.82 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34.1 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-25YLC/SOT669/LFPAK 2 353En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 39 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK 1 158En existencias
1 500Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.49 V 55 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R4-30BLE/SOT404/D2PAK 882En existencias
4 000Se espera el 27/5/2026
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 81 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A 216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R5-30YLC/SOT669/LFPAK 570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 120A N-CH MOSFET 71En existencias
28 800Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 196 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-25YLB/SOT669/LFPAK 1 388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 73 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.5 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 66A 608En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 66 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.83 V 13.7 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel