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APS6408L-3OC-BA

Name: AP Memory Technology APS6408L-3OC-BA
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS6408L-3OC-BA
Price: 1290.75 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

878-APS6408L-3OC-BA

Fabricante N.º:

APS6408L-3OC-BA

Fabricante:

AP Memory

Descripción:

DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)

Hoja de datos:

APS6408L-3OC-BA Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 290,75	₡1 290,75
	₡1 207,48	₡12 074,80
	₡1 171,05	₡29 276,25
	₡1 145,02	₡57 251,00
	₡1 119,00	₡111 900,00
	₡1 082,57	₡270 642,50
	₡1 066,95	₡533 475,00
	₡1 040,93	₡1 040 930,00
	₡1 004,50	₡2 511 250,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	AP Memory Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-24
Organización:	8 M x 8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Empaquetado:	Tray
Marca:	AP Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	4800
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

APS6408L-3OC-BA Hoja de datos

Certificate of Compliance (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

APS6408L-3OC-BA DDR Octal SPI PSRAM

AP Memory APS6408L-3OC-BA Double Data Rate (DDR) Octal SPI PSRAM is designed with auto temperature-compensated self-refresh by the built-in temperature sensor and partial array self-refresh. This octal PSRAM features software reset, reset pin, and an ultra-low power half-sleep mode with data retention. The APS6408L-3OC-BA PSRAM offers a clock rate of up to 133MHz 266Mb/s read/write throughput operating within a 2.7V to 3.6V (V_DD) single supply voltage range. This octal PSRAM holds 64MB in capacity and is organized in an 8M x 8-bit configuration. It utilizes a page size of 1024 bytes, and the column addresses range from AY0 to AY9, while row addresses span from AX0 to AX12.