Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
693 En existencias
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1 475 En existencias
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239 En existencias
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1 534 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
998 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Detalles
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Infineon Technologies
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25 000 En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
25 000 En pedido
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En pedido:
15 000 Se espera el 9/7/2026
10 000 Se espera el 8/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas
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Ver
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Comprar
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2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 900 Se espera el 9/7/2026
1
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Ver
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Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
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IPP50R190CE
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
500 Se espera el 2/7/2026
Embalaje alternativo
1
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1 000
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
995 Se espera el 2/7/2026
Embalaje alternativo
1
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₡455,41
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
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170 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
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+ 150 C
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
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2 437 Se espera el 7/9/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 437 Se espera el 7/9/2026
1
₡369,53
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₡94,72
5 000
Ver
1 000
₡106,70
5 000
₡82,23
10 000
₡74,95
25 000
₡74,43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
2.6 A
3 Ohms
- 20 V, 20 V
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+ 150 C
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel