TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 1.9 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.9 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET
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8 749En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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5 540En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4.1A
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54 991En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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10 827En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 33 nC - 50 C + 150 C 27.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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41 886En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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32 414En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 22 mOhms - 10 V, 10 V 800 mV 65 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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41 475En existencias
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Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 61 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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4 548En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 50 A 2.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
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11 646En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.9 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A
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2 824En existencias
6 000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 195 A 1.7 mOhms - 20 V, 16 V 1 V 172.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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21 454En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 73 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8
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29 285En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 16 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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6 034En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 92 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
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20 135En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 12 V 8 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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46 175En existencias
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Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 48 mOhms, 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 23 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 50A
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7 429En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 110 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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2 718En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 53 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6
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15 653En existencias
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Si SMD/SMT SC-89-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.75 A 65 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 31.1 nC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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2 530En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SC70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 15.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
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530En existencias
3 000Se espera el 23/3/2026
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 35 A 3.3 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
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4 442En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 30 A 4.4 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 180 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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943En existencias
3 000Se espera el 16/2/2026
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Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 21 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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737En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs SC70-6
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7 195En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 34 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel