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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 696 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCV8406DD1CR2G

Fabricante N.º:

NCV8406DD1CR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NCV8406DD1CR2G Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡696,00	₡696,00
	₡457,62	₡4 576,20
	₡379,32	₡37 932,00
	₡364,24	₡182 120,00
	₡351,48	₡351 480,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡343,36	₡858 400,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	210 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	692 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	1600 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	127 ns

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Hoja de datos

NCV8406DD1CR2G Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Controlador de baja tensión con doble autoprotección NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.