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NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 1490.88 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C645NT1G

Fabricante N.º:

NVMFS5C645NT1G

Fabricante:

onsemi

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 490,88	₡1 490,88
	₡1 436,66	₡14 366,60
	₡992,11	₡99 211,00
	₡807,78	₡403 890,00
	₡511,24	₡511 240,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡511,24	₡766 860,00
	₡468,41	₡4 215 690,00
24 000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	92 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	20.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	79 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	JP
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	36.3 ns
Serie:	NVMFS5C645N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.2 ns