Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 200 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 750 mA 400 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 198 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 900 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 30 V 10 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 30 V 6.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 30 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si 30 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si 60 V 4.2 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel