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MMBT4401-13-F

Name: Diodes Incorporated MMBT4401-13-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MMBT4401-13-F
Price: 75.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-MMBT4401-13-F

Fabricante N.º:

MMBT4401-13-F

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Hoja de datos:

MMBT4401-13-F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡75,40	₡75,40
	₡46,98	₡469,80
	₡29,58	₡2 958,00
	₡21,46	₡10 730,00
	₡16,24	₡16 240,00
	₡13,92	₡69 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡8,12	₡81 200,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MMBT4401-7-F

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡75,40

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	600 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	60 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	750 mV
Dp - Disipación de potencia :	310 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	250 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	20 at 100 uA, 1 V
Máx. ganancia de CC hFE:	300 at 150 mA, 1 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

MMBT4401-13-F Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MMBT4401 Bipolar Junction Transistor

Diodes Incorporated MMBT4401 Bipolar Junction Transistor (BJT) with epitaxial planar die construction is a 40V NPN small signal transistor. The MMBT4401 is qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, available in the SOT23 package. This transistor is constructed from molded plastic "Green" compound and complies with UL94V-0 flammability rating. Diodes Incorporated MMBT4401 features a wide storage and operating temperature range of -55ºC to 150ºC. This BJT is RoHS compliant. The MMBT4401 transistor is ideal for medium power amplification and switching.