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SIHFPS37N50A-GE3

Name: Vishay SIHFPS37N50A-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHFPS37N50A-GE3
Price: 4582 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-SIHFPS37N50A-GE3

Fabricante N.º:

SIHFPS37N50A-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHFPS37N50A-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡3 219,00	₡32 190,00
	₡2 679,60	₡267 960,00
	₡2 389,60	₡1 147 008,00
	₡2 227,20	₡2 138 112,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	Super-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	180 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	446 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IL
Tiempo de caída:	80 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	98 ns
Serie:	SIHFPS
Cantidad de empaque de fábrica:	480
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SIHFPS Super-247 Power MOSFET

Vishay / Siliconix SIHFPS Super-247 Power MOSFET offers an improved gate with an avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The avalanche voltage, current, and capacitance are fully characterized. The SIHFPS Super-247 Power MOSFETs have an enhanced body diode dV/dt capability and are ideal for high-speed and hard-switching applications.