Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

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Resultados: 11

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: ₡2 672,74
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Hoja de datos

966En existencias

Cinta cortada

₡2 672,74

₡1 772,79

₡1 263,18

₡1 192,70

Envase tipo carrete

₡970,43

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: ₡2 835,38
2 487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2 487En existencias

Cinta cortada

₡2 835,38

₡1 886,64

₡1 349,92

₡1 290,29

₡1 208,97

Envase tipo carrete

₡1 208,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: ₡2 163,13
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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Hoja de datos

207En existencias

₡2 163,13

₡1 290,29

₡1 024,64

₡791,52

₡748,15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: ₡2 423,35
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

77En existencias

₡2 423,35

₡1 241,49

₡1 095,12

₡921,63

₡889,11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
1: ₡2 087,23
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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Hoja de datos

61En existencias

₡2 087,23

₡1 073,43

₡867,42

₡775,26

₡742,73

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 Channel

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W,S1VE
Toshiba
1: ₡3 637,74
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

74En existencias

₡3 637,74

₡2 569,73

₡1 778,21

₡1 751,10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
1: ₡3 485,94
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK16N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

17En existencias

₡3 485,94

₡1 978,80

₡1 642,68

₡1 452,93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: ₡3 480,52
73Se espera el 29/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

73Se espera el 29/5/2026

₡3 480,52

₡2 027,59

₡1 675,20

₡1 452,93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16G60W,RVQ
Toshiba
1: ₡4 315,41
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

₡4 315,41

₡2 938,38

₡2 260,71

Envase tipo carrete

₡2 108,91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16J60W,S1VQ
Toshiba
1: ₡2 591,42
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

₡2 591,42

₡2 076,39

₡1 675,20

₡1 485,46

₡1 317,39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

TK16V60W,LVQ
Toshiba
2 500: ₡1 095,12
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

₡1 095,12

Min.: 2 500
Mult.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

139 W

DTMOSIV

Reel

TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

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