Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: ₡1 035,48
2 865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

2 865En existencias

Cinta cortada

₡1 035,48

₡661,41

₡441,84

₡349,14

₡319,32

Envase tipo carrete

₡278,12

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: ₡1 328,24
6 000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

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863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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Hoja de datos

6 000En existencias

Cinta cortada

₡1 328,24

₡764,41

₡574,67

₡489,01

₡402,27

Envase tipo carrete

₡401,72

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: ₡769,84
2 970En existencias

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NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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2 970En existencias

Cinta cortada

₡769,84

₡509,61

₡371,36

₡292,21

Envase tipo carrete

₡234,20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: ₡791,52
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS011N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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Hoja de datos

3 000En existencias

Cinta cortada

₡791,52

₡499,31

₡330,70

₡258,60

Envase tipo carrete

₡218,48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: ₡769,84
2 994En existencias
3 000Se espera el 19/6/2026

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NVMYS010N04CLTWG

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863-NVMYS010N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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2 994En existencias

3 000Se espera el 19/6/2026

Cinta cortada

₡769,84

₡483,59

₡324,74

₡258,60

₡230,95

Envase tipo carrete

₡192,46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: ₡807,78
7 630En existencias

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NVMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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7 630En existencias

Cinta cortada

₡807,78

₡509,07

₡338,84

₡265,65

₡242,34

Envase tipo carrete

₡224,44

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: ₡748,15
756En existencias
3 000Se espera el 5/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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Hoja de datos

756En existencias

3 000Se espera el 5/6/2026

Cinta cortada

₡748,15

₡472,74

₡313,36

₡245,05

₡222,82

Envase tipo carrete

₡195,71

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: ₡721,04
1 413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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Cinta cortada

₡721,04

₡452,68

₡299,80

₡233,66

₡212,52

Envase tipo carrete

₡184,87

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: ₡927,05
6 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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Cinta cortada

₡927,05

₡580,09

₡375,70

₡289,50

₡261,31

Envase tipo carrete

₡238,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: ₡802,36
5 645En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS7D3N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

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Hoja de datos

5 645En pedido

Cinta cortada

₡802,36

₡505,27

₡336,13

₡263,48

₡240,17

Envase tipo carrete

₡212,52

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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