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RQ3P300BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P300BHTB1
Price: 1728 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ3P300BHTB1

Fabricante N.º:

RQ3P300BHTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

Hoja de datos:

RQ3P300BHTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 728	₡1 728
	₡1 189	₡11 890
	₡824	₡82 400
	₡696	₡348 000
	₡655	₡655 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡567	₡1 701 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Id - Corriente de drenaje continua:	39 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Número de canales:	1 Channel
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Dp - Disipación de potencia :	32 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	18 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15.5 mOhms
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Alias de las piezas n.º:	RQ3P300BH

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3P300BH N-Channel 100V 39A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3P300BH N-Channel 100V 39A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a small surface-mount package. The RQ3P300BH features Pb-free plating and is RoHS compliant.