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NDSH30120CDN

Name: onsemi NDSH30120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH30120CDN
Price: 6073 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NDSH30120CDN

Fabricante N.º:

NDSH30120CDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L

Hoja de datos:

NDSH30120CDN Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡6 073	₡6 073
	₡3 811	₡38 110
	₡3 805	₡380 500
	₡3 364	₡1 513 800
	₡3 312	₡2 980 800
2 700	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente directa:	38 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.75 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	91 A
Ir - Corriente inversa:	1.5 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH30120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	158 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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NDSH30120CDN Hoja de datos

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability than Silicon in a TO-247-3LD package. NDSH30120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and and high surge current capacity.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.