NDSH30120CDN

onsemi
863-NDSH30120CDN
NDSH30120CDN

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NDSH30120CDN

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
38 A
1.2 kV
1.75 V
91 A
1.5 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH30120CDN
Tube
Marca: onsemi
Dp - Disipación de potencia : 158 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability than Silicon in a TO-247-3LD package. NDSH30120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and and high surge current capacity.

En existencias: 380

Existencias:
380 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
42 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡5 475,30 ₡5 475,30
₡3 778,58 ₡37 785,80
₡3 627,64 ₡435 316,80
₡3 299,75 ₡1 682 872,50
₡3 086,36 ₡3 148 087,20
10 020 Presupuesto

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.