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RQ3P270BLFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P270BLFRATCB
Price: 1131 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-RQ3P270BLFRATCB

Fabricante N.º:

RQ3P270BLFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 100V

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	₡1 131	₡1 131
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	₡502	₡50 200
	₡425	₡212 500
	₡355	₡355 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡328	₡984 000
	₡310	₡1 860 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	27 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	29 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	13.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	69 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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