Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low RDS(on) and low Qg in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 14A N-CH XCLASS
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-220
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3