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PSMN3R7-100BSEJ

Name: Nexperia PSMN3R7-100BSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R7-100BSEJ
Price: 3631 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN3R7-100BSEJ

Fabricante N.º:

PSMN3R7-100BSEJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 100V 120A

Hoja de datos:

PSMN3R7-100BSEJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 631	₡3 631
	₡2 413	₡24 130
	₡2 053	₡102 650
	₡1 728	₡172 800
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡1 346	₡1 076 800
	₡1 340	₡3 216 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.95 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	246 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	405 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	69 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	64 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	98 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Alias de las piezas n.º:	934660326118
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

PSMN3R7-100BSEJ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN3R7-100BSE Linear Mode MOSFETs

Nexperia PSMN3R7-100BSE Linear-Mode MOSFETs deliver a combination of strong SOA and low R_DS(on) and are ideal for hot-swap, soft start, and e-fuse applications. To handle the high in-rush current that can happen when swapping a server board or other pluggable system, or to guarantee that a processor board is brought up smoothly, a MOSFET with high SOA is used together with a hot swap controller. Previous generation parts traded off SOA against R_DS(on), but the PSMN3R7-100BSE series maximizes SOA without affecting the R_DS(on), therefore maintaining high operating efficiency levels.