Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
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₡346
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₡121
10 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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₡355
100
₡243
500
₡191
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₡125
10 000
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2 500
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10 000
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25 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ100N06LS3 G
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₡553
100
₡398
500
₡321
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₡237
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₡288
2 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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10
₡737
100
₡491
500
₡403
5 000
₡291
10 000
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₡353
2 500
₡342
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ130N03LS G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
2 913 En existencias
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₡528
10
₡329
100
₡214
500
₡164
5 000
₡116
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₡135
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₡103
25 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
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10
₡719
100
₡476
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₡390
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₡289
1 000
₡342
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Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER
ICE3BS03LJG
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Conversores CA/DC OFF-LINE SMPS CRRNT MODE CONTROLLER
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1
₡974
10
₡626
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₡556
100
₡457
2 500
₡289
7 500
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₡398
500
₡378
1 000
₡317
7 500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
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947 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
947 En existencias
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₡1 578
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₡1 015
100
₡725
500
₡615
1 000
₡520
2 000
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2 000
₡494
5 000
₡491
10 000
₡478
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB600N25N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
630 En existencias
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1
₡2 100
10
₡1 369
100
₡1 073
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₡760
2 000
₡725
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
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508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
508 En existencias
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₡1 949
10
₡1 270
100
₡974
500
₡812
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₡696
2 500
₡661
25 000
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Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC1000
KITXMC13BOOT001TOBO1
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726-KITXMC13BOOT001
Infineon Technologies
Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC1000
20 En existencias
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Detalles
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4400F100K512BAXQMA1
Infineon Technologies
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21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-MC4400F100K512BA
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
21 En existencias
Embalaje alternativo
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₡8 398
10
₡6 380
25
₡6 119
100
₡5 388
250
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₡5 127
540
₡4 791
1 080
₡4 472
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1 026 En existencias
1
₡1 931
10
₡1 328
100
₡928
500
₡847
800
₡655
9 600
₡644
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRL7PP
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167 En existencias
1 600 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRL7PP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
167 En existencias
1 600 Se espera el 5/3/2026
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₡1 665
10
₡1 357
100
₡1 154
500
₡951
800
₡911
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
₡2 419
853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
853 En existencias
1
₡2 419
10
₡1 583
100
₡1 189
500
₡1 056
800
₡818
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Mult.: 1
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