Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
4 632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Hoja de datos
14 461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
6 614En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
5 697En existencias
3 000Se espera el 3/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
98En existencias
9 000Se espera el 23/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Hoja de datos
5 970En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
2 997Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape