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SUD70090E-GE3

Name: Vishay SUD70090E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SUD70090E-GE3
Price: 1333.66 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SUD70090E-GE3

Fabricante N.º:

SUD70090E-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

Hoja de datos:

SUD70090E-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 333,66	₡1 333,66
	₡796,94	₡7 969,40
	₡558,40	₡55 840,00
	₡465,70	₡232 850,00
	₡426,12	₡426 120,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡399,56	₡799 120,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	ThunderFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	45 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	SUD
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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ECCN:: EAR99

40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs offer low ON-resistance and low total gate charge. This low ON-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Available packages include TO-220, TO-252, as well as a space-saving, small-outline PowerPAK® option. Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs are 100% R_g and UIS tested, halogen free, and RoHS compliant.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

SUD70090E N-Channel MOSFET

Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET is a 100V ThunderFET® module with a 175°C maximum junction temperature. The SUD70090E features a Q_GD/Q_GS ratio of <1 for optimized switching and is 100% R_g and UIS tested. Typical applications for Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET include DC/DC converters, power tools, motor drive switches, DC/AC inverters, and battery management.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.