QPD0005TR13

Qorvo
772-QPD0005TR13
QPD0005TR13

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

Modelo ECAD:
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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
₡3 648,58 ₡9 121 450,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
QPD0005SR
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
₡7 481,50
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
48 V
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 18.8 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta: 48 V
Frecuencia de trabajo máxima: 5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 2.5 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 5 W
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0005
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Alias de las piezas n.º: QPD0005 QPD0005SR
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Atributos seleccionados: 0

PCN

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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD0005 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) in a plastic overmold DFN package. These RF transistors operate over a 2.5GHz to 5GHz frequency range. Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering PSAT of 8.7W at 48V operation. These transistors come in a 4.5mm x 4.0mm package and are RoHS compliant. Applications include WCDMA / LTE, macrocell base station, microcell base station, small cell, active antenna, 5G massive MIMO, and general-purpose applications.

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