Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 72

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡162,64
160 788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138NH6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6433XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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160 788En existencias

Cinta cortada

₡162,64

₡99,75

₡62,35

₡46,08

Envase tipo carrete

₡25,48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
1: ₡3 426,31
968En existencias
1 000Se espera el 26/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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968En existencias

1 000Se espera el 26/5/2026

Cinta cortada

₡3 426,31

₡2 623,95

₡2 125,18

₡1 897,48

Envase tipo carrete

₡1 669,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1: ₡3 410,04
1 251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

₡3 410,04

₡2 613,10

₡2 114,34

₡1 892,06

Envase tipo carrete

₡1 664,36

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB030N08N3 G
Infineon Technologies
1: ₡2 640,21
1 689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB030N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB030N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

₡2 640,21

₡1 745,68

₡1 241,49

₡1 073,43

Envase tipo carrete

₡1 068,01

₡1 002,95

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

160 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: ₡2 201,08
1 731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

₡2 201,08

₡1 436,66

₡1 127,65

₡981,27

Envase tipo carrete

₡829,47

₡818,63

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1: ₡3 865,44
3 917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

₡3 865,44

₡2 531,78

₡1 864,95

₡1 707,73

Envase tipo carrete

₡1 463,77

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

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+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡2 098,07
4 947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4 947En existencias

Cinta cortada

₡2 098,07

₡1 366,19

₡975,85

₡802,36

Envase tipo carrete

₡748,15

Min.: 1
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TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

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3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡2 423,35
1 844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1 844En existencias

Cinta cortada

₡2 423,35

₡1 523,41

₡1 073,43

₡943,32

Envase tipo carrete

₡878,26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: ₡2 027,59
3 542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

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3 542En existencias

Cinta cortada

₡2 027,59

₡1 322,82

₡1 013,80

₡878,26

Envase tipo carrete

₡742,73

₡731,89

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡2 163,13
2 142En existencias
2 000Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2 142En existencias

2 000Se espera el 11/6/2026

Cinta cortada

₡2 163,13

₡1 420,40

₡1 002,95

₡910,79

Envase tipo carrete

₡807,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡1 349,92
3 128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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Hoja de datos

3 128En existencias

Cinta cortada

₡1 349,92

₡867,42

₡590,93

₡471,12

Envase tipo carrete

₡432,63

₡400,10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

6.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: ₡3 496,79
1 133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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1 133En existencias

Cinta cortada

₡3 496,79

₡2 336,61

₡1 680,63

₡1 496,30

Envase tipo carrete

₡1 371,61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: ₡1 517,98
2 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2 000En existencias

₡1 517,98

₡748,15

₡672,25

₡534,01

₡471,66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1: ₡2 152,29
1 294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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1 294En existencias

Cinta cortada

₡2 152,29

₡1 409,56

₡1 040,90

₡927,05

Envase tipo carrete

₡818,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1: ₡4 071,45
565En existencias
2 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

565En existencias

2 000En pedido

Cinta cortada

₡4 071,45

₡3 041,39

₡2 461,30

₡2 201,08

Envase tipo carrete

₡1 935,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1: ₡2 493,83
1 750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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1 750En existencias

Cinta cortada

₡2 493,83

₡1 637,25

₡1 160,17

₡992,11

Envase tipo carrete

₡927,05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

351 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 851,64
1 229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

1 229En existencias

₡2 851,64

₡1 480,04

₡1 349,92

₡1 111,38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: ₡184,33
278 602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Comentarios de Producto

278 602En existencias

Cinta cortada

₡184,33

₡127,40

₡80,78

₡50,96

Envase tipo carrete

₡32,53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: ₡206,01
10 190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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Hoja de datos

10 190En existencias

Cinta cortada

₡206,01

₡188,12

Envase tipo carrete

₡165,89

₡32,53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 517,98
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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446En existencias

₡1 517,98

₡753,57

₡677,67

₡618,04

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
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IPA060N06NXKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
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MouseReel Disponible

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: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies
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IPB160N04S4-H1

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726-IPB160N04S4-H1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

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₡889,11

₡742,73

Envase tipo carrete

₡645,14

MouseReel Disponible

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: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
110 mA
170 mA
230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
6 A
12 A
17 A
18.1 A
22.4 A
24.8 A
25 A
34 A
35 A
45 A
50 A
64 A
69 A

800 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
2.3 nC
9 nC
14 nC
18 nC
29 nC
32 nC
32.6 nC
33 nC
36 nC
39 nC
44 nC
47.2 nC
51 nC
56 nC
60 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30.4 W
32 W
33 W
36 W
58 W
71 W
79 W
88 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W
136 W
150 W
158 W