Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4-H2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
160 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N04S4-04
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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1 000
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPB80N06S2L07ATMA3
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726-IPB80N06S2L07ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
651 En existencias
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500
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1 000
₡759,80
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
6.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB029N06N3 G
Infineon Technologies
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726-IPB029N06N3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
261 En existencias
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₡800,40
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₡672,80
1 000
₡580,00
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
120 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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165 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
BSS138WH6327XTSA1
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726-BSS138WH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1 355 En existencias
492 000 En pedido
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1 000
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6 000
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₡22,04
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
60 V
280 mA
2.1 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BSS214NWH6327XTS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
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26 Semanas
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1 000
₡55,10
3 000
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.5 A
106 mOhms
- 12 V, 12 V
950 mV
800 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 333 En existencias
1
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10
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500
₡347,42
1 000
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1 000
₡303,92
2 500
₡276,66
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
18.1 A
280 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32.6 nC
- 40 C
+ 150 C
30.4 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1:
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932 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
932 En existencias
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1
₡1 577,60
10
₡1 015,00
100
₡725,00
500
₡614,80
1 000
₡526,06
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB600N25N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 099,60
630 En existencias
2 000 Se espera el 12/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB600N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
630 En existencias
2 000 Se espera el 12/3/2026
Embalaje alternativo
1
₡2 099,60
10
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100
₡1 073,00
500
₡904,80
1 000
₡777,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
250 V
25 A
51 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1:
₡2 494,00
755 En existencias
1 000 Se espera el 17/6/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
755 En existencias
1 000 Se espera el 17/6/2026
1
₡2 494,00
10
₡1 641,40
100
₡1 160,00
500
₡1 061,40
1 000
₡991,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263
N-Channel
1 Channel
650 V
22.4 A
351 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
86 nC
- 55 C
+ 150 C
195.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
+2 imágenes
BSS159N H6327
Infineon Technologies
1:
₡324,80
5 962 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSS159NH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
5 962 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡324,80
10
₡198,36
100
₡129,92
500
₡95,12
3 000
₡73,66
6 000
Ver
1 000
₡87,00
6 000
₡61,48
9 000
₡57,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
230 mA
1.7 Ohms
- 20 V, 20 V
3.5 V
1.4 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Depletion
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N04S4L-04
Infineon Technologies
1:
₡1 345,60
826 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4L-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
826 En existencias
1
₡1 345,60
10
₡864,20
100
₡591,60
500
₡492,42
1 000
₡426,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
+2 imágenes
BSS131H6327XT
Infineon Technologies
1:
₡249,40
13 912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
13 912 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡249,40
10
₡185,60
100
₡104,98
500
₡70,76
3 000
₡46,98
6 000
Ver
1 000
₡53,94
6 000
₡40,60
9 000
₡37,70
24 000
₡34,22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
240 V
110 mA
7.7 Ohms
- 20 V, 20 V
1.4 V
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA2
IPB80P04P4L06ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡1 566,00
229 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P4L06AT2
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
229 En existencias
1
₡1 566,00
10
₡1 015,00
100
₡696,00
500
₡563,18
1 000
₡526,06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3-2
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
8.2 mOhms
- 16 V, 5 V
1.7 V
80 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡2 250,40
766 Se espera el 6/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L06ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
766 Se espera el 6/3/2026
1
₡2 250,40
10
₡1 479,00
100
₡1 038,20
500
₡922,20
1 000
₡864,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1:
₡1 821,20
1 000 Se espera el 2/3/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
1 000 Se espera el 2/3/2026
1
₡1 821,20
10
₡1 183,20
100
₡823,60
500
₡696,00
1 000
₡649,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
15.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡174,00
19 442 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6433XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
19 442 En pedido
1
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10
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100
₡66,12
500
₡48,72
10 000
₡26,10
20 000
Ver
1 000
₡38,28
5 000
₡33,64
20 000
₡24,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
60 V
280 mA
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
600 mV
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
₡1 473,20
888 Se espera el 19/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
888 Se espera el 19/3/2026
1
₡1 473,20
10
₡725,00
100
₡655,40
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₡523,74
1 000
₡504,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
24.8 A
450 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
47.2 nC
- 40 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 351,40
1 000 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1 000 Se espera el 2/3/2026
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Detalles
Si
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
CoolMOS
Tube