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NXH015F120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH015F120M3F1PTG
Price: 39481 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-XH015F120M3F1PTG

Fabricante N.º:

NXH015F120M3F1PTG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	42.5 mm x 33.8 mm
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	77 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	198 W
Serie:	NXH015F120M3F1PTG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Quad
Tiempo de caída:	7.5 ns
Altura:	12 mm
Longitud:	42.5 mm
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	8.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	28
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	103 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33.3 ns
Vf - Tensión directa:	4.67 V
Ancho:	33.8 mm

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NXH015F120M3F1PTG Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ T_C = 80°C (T_J = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.