Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6 515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
14 785En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2 689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
13 772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.26 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 778En existencias
25 000Se espera el 9/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
563En existencias
1 800Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
7 617En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 119 A 3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
7 392Se espera el 7/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
5 504Se espera el 15/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel