Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 125,67
4 748En existencias
2 000Se espera el 26/5/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Cinta cortada

₡4 125,67

₡2 954,65

₡2 575,15

₡2 526,36

Envase tipo carrete

₡2 526,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 830,44
2 902En existencias
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726-IAUTN15S6N025TAT

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₡4 830,44

₡3 485,94

₡3 052,23

₡3 008,86

Envase tipo carrete

₡3 008,86

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 635,27
1 605En existencias
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726-IAUTN15S6N025GAT

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Cinta cortada

₡4 635,27

₡3 339,57

₡2 916,70

₡2 878,75

Envase tipo carrete

₡2 878,75

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 317,88
3 612En existencias
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IAUTN15S6N038ATMA1

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726-IAUTN15S6N038ATM

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Cinta cortada

₡3 317,88

₡2 352,88

₡2 038,44

₡1 984,22

Envase tipo carrete

₡1 984,22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 719,06
1 742En existencias
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IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

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Cinta cortada

₡3 719,06

₡2 656,47

₡2 309,51

₡2 255,29

Envase tipo carrete

₡2 255,29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 811,23
1 773En existencias
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₡2 721,53

₡2 369,14

₡2 314,93

Envase tipo carrete

₡2 314,93

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

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