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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 4356 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H070G4PS

Fabricante N.º:

TP65H070G4PS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Hoja de datos:

TP65H070G4PS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 356	₡4 356
	₡2 349	₡23 490
	₡2 158	₡215 800
	₡1 827	₡913 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡1 827	₡1 827 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	7.2 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43.4 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN^® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. The TP65H070G4PS combines high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in a three-lead TO-220 package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 26W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN platform from Renesas Electronics uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.