U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
Hoja de datos
12 804En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel