Resultados: 51
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
2 833En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.7 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
Hoja de datos
8 999En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
Hoja de datos
37 507En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 1 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
Hoja de datos
43 143En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
Hoja de datos
119 829En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 29 mOhms - 12 V, 12 V 800 mV 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
2 280En existencias
3 000Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 120 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Depletion Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1 121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1 031En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
Hoja de datos
3 342En existencias
3 000Se espera el 5/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Hoja de datos
18 761En existencias
408 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
10 664En existencias
12 000Se espera el 5/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.8 V 630 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
546En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 103 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
1 128En existencias
5 000Se espera el 30/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
8 112En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
Hoja de datos
1 438En existencias
24 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 25 V 5.8 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 1.25 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
Hoja de datos
709En existencias
4 000Se espera el 19/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl
Hoja de datos
19 420En existencias
102 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.3 A 21 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 8.9 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
Hoja de datos
1 985En existencias
215 900En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 800 mV 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
2 335En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl
Hoja de datos
16 234En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.3 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
Hoja de datos
16 312En existencias
66 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 103 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
2 000Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube