NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFET comes in compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTFS6H860NL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a 3.3mm x 3.3mm package. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and switching power supplies.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
15 413En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
2 893En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel