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EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 4986.06 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

65-EPC2361

Fabricante N.º:

EPC2361

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2361 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	133 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Tecnología:	GaN
Marca:	EPC
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	35,200 mg

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Hoja de datos

EPC2361 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

EPC2361 eGaN® FET

EPC EPC2361 Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor (eGaN^® FET) is a 100V power transistor engineered for efficient power conversion. The device offers a typical 0.75mΩ on-resistance, high-current capability, ultra-low gate charge, and zero reverse-recovery charge. These characteristics support high switching frequencies and reduced power losses in demanding applications.

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₡-,--

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₡-,--

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 986,06	₡4 986,06
	₡2 748,06	₡27 480,60
	₡2 529,46	₡252 946,00
	₡2 373,32	₡1 186 660,00
	₡2 175,55	₡2 175 550,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡2 029,82	₡6 089 460,00

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Fabricante: EPC

Descripción: GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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