Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 83113.12 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-FF06MR12A04MA2AK

Fabricante N.º:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies FF06MR12A04MA2AKSA1

En existencias: 82

Existencias:: 82 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 44 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡83 113,12	₡83 113,12
	₡63 278,18	₡632 781,80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Modules
Tipo:	1 N-Channel
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	5.15 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	HybridPACK
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	53 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	190 A
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14.5 mOhms
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	120
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	CoolSiC
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	228 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.55 V
Alias de las piezas n.º:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FF06MR12A04MA2AKSA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET & NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET and NTC are high-performance power modules designed for demanding automotive applications, particularly in hybrid and electric vehicles (xEVs). This compact half-bridge module integrates silicon carbide (SiC) MOSFETs and an NTC thermistor, enabling superior efficiency and thermal performance. With a blocking voltage of 1200V and a nominal current rating of 190A, the modules support high-speed switching with low conduction and switching losses, thanks to the inherent advantages of SiC technology.