MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times, high drain current (4A maximum), and low on-state resistance in a SOT-23 (TO-236) package. The MMFTP3334K FET features a 30V maximum drain-source voltage, 1000mW maximum power dissipation, and 5.9nC typical total gate charge in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, drivers, and logic-level converters.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P
Hoja de datos
6 117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SOT-23 MMFTP3334K Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P, AEC-Q101
Hoja de datos
8 992En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MMFTP3334K-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel