Electric Power Steering (EPS) Solutions

MCC Electric Power Steering (EPS) Solutions support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort. As vehicles evolve to include advanced driver assistance systems (ADAS) and electrification, EPS remains critical, enhancing maneuverability, enabling features like lane keeping and automated parking, and supporting EV architectures.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Hoja de datos
4 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Hoja de datos
2 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060-DSC
Hoja de datos
4 965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-DSC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 115.9 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Hoja de datos
4 165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060-DSC
Hoja de datos
4 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-DSC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 290 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Hoja de datos
690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 161 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
Hoja de datos
1 996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 55.8 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8L N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel