Electric Power Steering (EPS) Solutions

MCC Electric Power Steering (EPS) Solutions support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort. As vehicles evolve to include advanced driver assistance systems (ADAS) and electrification, EPS remains critical, enhancing maneuverability, enabling features like lane keeping and automated parking, and supporting EV architectures.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060-DSC 4 965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-DSC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 115.9 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 4 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060-DSC 4 917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-DSC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 290 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7 690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 161 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L 1 996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 55.8 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DPAK 2 500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060 4 165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8L N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel