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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 487.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RTF016N05FRATL

Fabricante N.º:

RTF016N05FRATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

RTF016N05FRATL Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡487,20	₡487,20
	₡291,74	₡2 917,40
	₡211,70	₡21 170,00
	₡171,68	₡85 840,00
	₡155,44	₡155 440,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡123,54	₡370 620,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323T-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	45 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	2.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	800 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	RTF016N05FRA

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RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

RTF016N05FRA Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RTF016N05FRA Small Signal MOSFET features low on-resistance, built-in G-S protection diode, and Pb-free lead plating. This MOSFET is available in TUMT3 small surface-mount package and is AEC-Q101 qualified. The RTF016N05FRA MOSFET offers 45V drain-source voltage, ±1.6A continuous drain current, and ±6.4A pulsed drain current. This MOSFET operates at -55°C to 150°C junction temperature range and storage temperature range. The RTF016N05FRA signal MOSFET is ideal for use in switching.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.