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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 482.5 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RTF016N05FRATL

Fabricante N.º:

RTF016N05FRATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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₡-,--

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡482,50	₡482,50
	₡294,38	₡2 943,80
	₡202,76	₡20 276,00
	₡160,47	₡80 235,00
	₡145,29	₡145 290,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡115,48	₡346 440,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323T-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	45 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	2.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	800 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	RTF016N05FRA