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NVMJST1D3N04CTXG

Name: onsemi NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJST1D3N04CTXG
Price: 1571.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMJST1D3N04CTXG

Fabricante N.º:

NVMJST1D3N04CTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Hoja de datos:

NVMJST1D3N04CTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 571,80	₡1 571,80
	₡1 073,00	₡10 730,00
	₡910,60	₡91 060,00
	₡875,80	₡437 900,00
	₡858,40	₡858 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡858,40	₡2 575 200,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TCPAK-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	386 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	145 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Serie:	NVMJST1D3N04C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

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Hoja de datos

NVMJST1D3N04CTXG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET

onsemi NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET is available in a TCPAK5x7 package for compact, efficient designs and high thermal performance. The NVMJST1D3N04C is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The onsemi NVMJST1D3N04C MOSFET is ideal for automotive applications requiring enhanced board-level reliability.