Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVXK2PR80WXT2

Name: onsemi NVXK2PR80WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2PR80WXT2
Price: 33350 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NVXK2PR80WXT2

Fabricante N.º:

NVXK2PR80WXT2

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

NVXK2PR80WXT2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVXK2PR80WXT2

En existencias: 48

Existencias:: 48 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡33 350	₡33 350
	₡27 422	₡274 220
	₡24 325	₡2 432 500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	APM-32
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	116 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Serie:	NVXK2PR80WXT2
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Full-Bridge
Tiempo de caída:	9 ns
Altura:	5.8 mm
Longitud:	44.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Ancho:	29 mm

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVXK2PR80WXT2 Hoja de datos

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 31A full-bridge power module housed in a Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed for a low total module resistance. The NVXK2PR80WXT2 power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2PR80WXT2 SiC module's temperature sensing and the lowest thermal resistance make it ideal for DC-DC and onboard chargers in xEV applications.