DI0A35N06PGK

Diotec Semiconductor
637-DI0A35N06PGK
DI0A35N06PGK

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diotec Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Reel
Cut Tape
Marca: Diotec Semiconductor
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 10000
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET is fabricated using advanced trench technology and offers low on-state resistance, fast switching characteristics, and very low gate charge. This makes it suitable for space‑constrained and battery‑powered designs. The DI0A35N06PGK MOSFET features a 60V drain-source voltage (VDSS), 223mW power dissipation, and 350mA continuous drain current (ID). This power MOSFET operates from -55°C to 150°C storage and junction temperature range. The DI0A35N06PGK N-channel power MOSFET is designed for low‑power switching and polarity protection applications. Typical applications include power management units, battery-powered devices, load switches, and polarity protection.

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En pedido:
10 000
Se espera el 20/11/2026
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
₡-,--
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