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DI0A35N06PGK

Name: Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI0A35N06PGK
Price: 86.74 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

637-DI0A35N06PGK

Fabricante N.º:

DI0A35N06PGK

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡86,74	₡86,74
	₡63,97	₡639,70
	₡53,13	₡5 313,00
	₡42,83	₡21 415,00
	₡37,41	₡37 410,00
	₡28,19	₡70 475,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡18,43	₡184 300,00
	₡17,89	₡357 800,00
	₡15,18	₡759 000,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors

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TARIC:: 8541290000

DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET is fabricated using advanced trench technology and offers low on-state resistance, fast switching characteristics, and very low gate charge. This makes it suitable for space‑constrained and battery‑powered designs. The DI0A35N06PGK MOSFET features a 60V drain-source voltage (V_DSS), 223mW power dissipation, and 350mA continuous drain current (I_D). This power MOSFET operates from -55°C to 150°C storage and junction temperature range. The DI0A35N06PGK N-channel power MOSFET is designed for low‑power switching and polarity protection applications. Typical applications include power management units, battery-powered devices, load switches, and polarity protection.