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QPD0007TR13

Name: Qorvo QPD0007TR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0007TR13
Price: 6792.07 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD0007TR13

Fabricante N.º:

QPD0007TR13

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

Modelo ECAD:

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	₡6 792,07	₡16 980 175,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

QPD0007SR

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡11 981,11

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Marca:	Qorvo
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0007
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	QPD0007

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Product Overview

Qorvo QPD0007 DC-5GHz, 20 Watt, 48 Volt, GaN RF Trasnsistor (PDF)

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541497080
ECCN:: 5A991.b

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD0007 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0007 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC high-electron-mobility transistors (HEMTs) in a DFN package. These Qorvo RF transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a P3dB output power of 20W at +48V operation. The QPD0007 transistors operate in the DC to 5GHz frequency range and offer 73% drain efficiency at 3.5GHz. Typical applications include WCDMA/LTE, macrocell base station, microcell base station, general-purpose, small cell, active antenna, and 5G massive MIMO.