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GANE3R9-150QBAZ

Name: Nexperia GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE3R9-150QBAZ
Price: 6519 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-GANE3R9-150QBAZ

Fabricante N.º:

GANE3R9-150QBAZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡6 519	₡6 519
	₡4 460	₡44 600
	₡3 584	₡179 200
	₡3 300	₡330 000
	₡2 854	₡2 854 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡2 784	₡6 960 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	65 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	934667633332

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET GANE3R9-150QBA de nitruro de galio (GaN)

El FET de nitruro de galio (GaN) GANE3R9-150QBA de Nexperia es un FET de nitruro de galio (GaN) de uso general de 150 V y 3.9 mΩ. El GANE3R9-150QBA es un dispositivo con emode normalmente desactivado que ofrece un rendimiento superior y una resistencia en estado activo muy baja. El GANE3R9-150QBA de Nexperia está disponible en un paquete Quad sin cables planos muy delgado (VQFN).