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DS28E80Q+T

Name: Analog Devices Inc. DS28E80Q+T
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 700-DS28E80Q+T
Price: 1485.46 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

700-DS28E80Q+T

Fabricante N.º:

DS28E80Q+T

Fabricante:

Analog Devices / Maxim Integrated

Descripción:

EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R

Hoja de datos:

DS28E80Q+T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 485,46	₡1 485,46
	₡1 442,09	₡14 420,90
	₡1 409,56	₡35 239,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡1 409,56	₡3 523 900,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	EEPROM
RoHS:
Tamaño de memoria:	2 kbit
Tipo de interfaz:	1-Wire
Organización:	256 x 8
Paquete / Cubierta:	TDFN-6
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.97 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.63 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Retención de datos:	10 Year
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	DS28E80
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Corriente de lectura activa - máx.:	12 mA
Marca:	Analog Devices / Maxim Integrated
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	EEPROM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	12 mA
Peso de la unidad:	50 mg

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Hoja de datos

DS28E80Q+T Hoja de datos (PDF)

Application Notes

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
TARIC:: 8542327500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DS28E80 1-Wire Memory Chip

Analog Devices Inc. DS28E80 is a user-programmable nonvolatile memory chip. In contrast to the floating-gate storage cells, the DS28E80 employs a storage cell technology that is resistant to gamma radiation. It has 248 bytes of user memory that are organized in blocks of 8 bytes. Individual blocks can be write-protected. Each memory block can be written eight times. The ADI DS28E80 communicates over the single-contact 1-Wire® bus at standard speed or overdrive speed. Each device has its own guaranteed unique 64-bit registration number that is factory programmed into the chip. The communication follows the 1-Wire protocol with a 64-bit registration number acting as node address in the case of a multiple-device 1-Wire network.