Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

DMN1057UCA3-7

Name: Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN1057UCA3-7
Price: 273 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-DMN1057UCA3-7

Fabricante N.º:

DMN1057UCA3-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

DMN1057UCA3-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7

En existencias: 3 989

Existencias:: 3 989 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡273	₡273
	₡202	₡2 020
	₡114	₡11 400
	₡77,1	₡38 550
	₡58,6	₡58 600
	₡52,2	₡130 500
	₡45,2	₡226 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡41,2	₡412 000
	₡37,1	₡742 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	X4-DSN0607-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	102 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	1.47 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.81 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.6 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DMN1057UCA3-7 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) and is ideal for high-efficiency power management applications. This MOSFET features low gate charge and low gate-to-drain charge for a fast switching performance. The DMN1057UCA3 MOSFET features a compact and ultra-low-profile design with a height of just 0.26mm, making it ideal for space-constrained applications. This MOSFET offers power dissipation of up to 1.81W and thermal resistance of up to 198.6°C/W. The DMN1057UCA3 N-channel MOSFET is used in battery management, load switches, and battery protection applications.